III Simposio de Postgrado 2025: Ingeniería, ciencia e innovación

Módulo Astronomía y Física 01 44 *E-mail: diego.rodriguez.s@ug.uchile.cl ¹ Dpto. de Física, Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas, Universidad de Chile ² Dpto. de Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas, Universidad de Chile ³ Dpto. de Ciencias Físicas, Facultad de Ingeniería y Ciencias, Universidad de la Frontera Diego Rodríguez Soto ¹* Joaquín López ² Fabian Dietrich ³ Marcos Flores ¹ Dispositivos de conmutación resistiva basados en óxidos de vanadio: diseño de un montaje experimental Resumen La miniaturización de los dispositivos electrónicos ha llevado a la industria de la microelectrónica a enfrentar un aumento en la disipación de densidad de po- tencia, lo que resulta en un cuello de botella. La computación neuromórfica es una tecnología emergente que imita la activación de neuronas y las sinapsis [1] , siendo más eficiente en consumo eléctrico y térmico. Un fenómeno promete- dor para estos dispositivos es la conmutación resistiva (RS), que consiste en un cambio abrupto en la resistividad de un material [2] , producido ya sea por un estí- mulo eléctrico o térmico [3] . La RS se puede clasificar en volátil (VRS) o no volátil (NVRS), en función de su persistencia una vez finalizado el estímulo. En este trabajo se realizó un montaje experimental que permite la fabricación de dispositivos de distintos materiales, a distinta temperatura, in situ y/o a posterio- ri. Además, se ensambló un sistema para realizar mediciones I-V de los disposi- tivos de forma mínimamente invasiva. Los dispositivos fabricados consisten en una película de óxido de vanadio de 45 nm depositada sobre una oblea de silicio, sobre la cual se montaron electrodos de aluminio mediante litografía, con sepa- raciones de 9 y 12 μm (Figura 1a). La curva I-V resultante (Figura 1b) evidencia el fenómeno de VRS, con una razón entre la resistencia de ambos estados de ≈200. __Agradecimientos A los proyectos 11230223, 1241742, EQM180009 y EQM180195. __Referencias [1] J. del Valle et al, J. Appl. Phys. 124, 211101 (2018). DOI: 10.1063/1.5047800 [2] Z. Wang et al, Nat. Rev. Mater. 5, 173 (2020). DOI: 10.1038/ s41578-019-0159-3 [3] Torres et al., Adv. Mater. 35.37 2205098 (2023). DOI: 10.1002/ adma.202205098 Figura 1: a) Patrón de litografía de los electrodos. b) Curvas I-V del dispositivo con 12 μm de separación. 500 μm