I Congreso de Postgrado fcfm: ingeniería, ciencias e innovación

82 Santiago, 10 al 12 de agosto, 2022 DINÁMICA DE POLARIZACIÓN EN VECSEL CON SESAM Camila Castillo-Pinto¹*, Artur Broda², Iwona Sankowska², Jan Muszalski², Yufeng Song³, Han Zhang⁴, Krassimir Panajotov¹ , ⁵ 1B-PHOT Brussels Photonics, Vrije Universiteit Brussel. Pleinla n 2, 1050 Brussels, Belgium 2 Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland 3 Intelligent Internet of Things and Intelligent Manufacturing Center, Shenzhen University, China 4 Shenzhen Engineering Laboratory of Phosphorene and Optoelectronics, Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, China 5 Georgi Nadjakov Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, 72 Tzarigradsko Chaussee, Sofia 1784, Bulgaria *Email: ccastill@b-phot.org RESUMEN Los Láser de emisión de superficie de cavidad externa vertical (VECSELs), desarrollados por primera vez en 1997¹, son de gran interés en la comunidad científica debido a sus ventajas por sobre otros tipos de láser. Se ha demostrado que usando espejos saturables absorbentes (SAM) es posible generar pulsos ultracortos de luz de manera pasiva². En este tópico, grandes avances han sido reportados desde entonces investigando la intensidad y duración de los pulsos de luz³. Sin embargo, la dinámica de la polarización de la luz es todavía un campo poco explorado. En este trabajo hemos apuntado a revelar el comportamiento temporal de la polarización para este tipo de láser, investigando experimentalmente los parámetros de Stokes normalizados y el grado de polarización de la luz. Nuestros resultados demuestran que los parámetros de Stokes normalizados y el grado de polarización son variables dinámicas, que alcanzan valores extremos durante el pulso. Además, la luz está elípticamente polarizada, exhibiendo componentes de polarización circular positiva (rotación hacia la derecha) o negativa (rotación hacia la izquierda). AGRADECIMIENTOS Este trabajo ha sido apoyado por Fonds Wetenschappelijk OnderzoekVlaanderen FWO (G0E5819N) y National Natural Science Foundation of China (No. 61705140) REFERENCIAS ¹ Kuznetsov, M. et al., (1997). High-power (>0.5-W CW) diode-pumped vertical external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEM/sub 00/beams. IEEE Photonics Technology Letters, 9(8), 1063-1065. ² Hoogland, S. et al., (2000). Passively mode-locked diode-pumped surface-emitting semiconductor laser. IEEE Photonics Technology Letters, 12(9), 1135- 1137. ³ Tilma, B. W. et al., (2015). Recent advances in ultrafast semiconductor disk lasers. Light: Science & Applications, 4(7), e310-e310.) F Í S I CA Y A S T ROF Í S I CA 05